Półprzewodniki możliwe do zastosowania w paśmie 134 GHz Mieszacz I/Q Gotmic gMDR0035A

Nie często widuje się elementy półprzewodnikowe sięgające powyżej 110 GHz. A tu piękny mieszacz I/Q pracujący od 140 do 170 GHz: http://www.gotmic.se/documents/gMDR0035A_Rev%20A01-17.pdf i do niego powielacz (x6) do heterodyny: http://www.gotmic.se/documents/gXSB0025A_Rev%20A02-16.pdf Sam mieszacz wymaga heterodyny o częstotliwości 2 razy mniejszej niż częstotliwość wejściowa czy wyjściowa, czyli na wejściu powielacza ~12 GHz. Do ogarnięcia ale stabilność i szumy fazowe muszą być doskonałe. Pośrednia 0..6 GHz, tylko 12 dB straty przemiany. Kompresja o 1 dB przy - 5 dBm. Miód malina. Najgorzej widzę kwestię substratu z przejściem pomiędzy wyjściem MMIC'a a sondą falowodu (raczej na tym samym substracie). 100 czy 127 mikrometrowe Al2O3 może być za grube. Pewnie 100 mikrometrowy substrat z "fused silica" (topiona krzemionka po naszemu?) był by odpowiedni. Ma ~cztery razy mniejszy Er niż Al203. Sam substrat mieszacza ma tylko 50 mikrometrów (zazwyczaj MMIC'e mają 100 mikrometrów grubości). No i dodatkowo producent za miedzą, bo w Goeteborgu więc nie podpada pod ITAR. Żeby nas tylko z UE nie wyrzucili, bo będziemy takie cukierki przez szybę lizać Dopinguje mnie to do dopięcia wszystkich pozostałych klocków z układanki "wire bonding"/"sputtering"/etc. Edit. Sobie na szybko przekalkulowałem. Cienkowarstwowy substrat z polerowanego Al2O3, grubość 100 mikrometrów, napylone dwa mikrometry złota, chropowatość 100 nm. Wychodzi mi około 3 dB strat dla linii mikropaskowej o długości 4 mm. Linia ma szerokość 111 mikrometrów. Analogicznej długości linia na podłożu SiO2 o grubości także 100 mikrometrów ma około 1,8 dB tłumienia. Szerokość linii 225 mikrometrów. Wszystkie obliczenia dla 140 GHz.

  PRZEJDŹ NA FORUM