| | |
| SP2RXX | 23.05.2017 15:30:20 |
Grupa: Administrator 
Lokalizacja: Bydgoszcz JO83XC
Posty: 7669 #2428319
Od: 2011-6-25
|
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI » DARMOWA REJESTRACJA
_________________
73! Maciej |
| | |
| Electra | 23.11.2024 15:45:09 |
 |
|
| | |
| sp6ix | 23.05.2017 16:01:43 |
Grupa: Użytkownik
Posty: 833 #2428329
Od: 2011-6-26
| RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for N - CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications
with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier
applications.
• Typical Single-Carrier N-CDMA. Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts,
IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain ó 21 dB
Drain Efficiency ó 31%
ACPR @ 750 kHz Offset ó -46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive,
Designed for Enhanced Ruggedness.
Features
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
• Integrated ESD Protection
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating Symbol Value Unit
Drain-Source Voltage VDSS -0.5, +66 Vdc
Gate-Source Voltage VGS -0.5, +12 Vdc
Storage Temperature Range Tstg - 65 to +150 °C
Case Operating Temperature TC 150 °C
Operating Junction Temperature (1,2) TJ 225 °C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value (2,3) Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 81°C, 160 W CW
Case Temperature 73°C, 35 W CW
RθJC
0.31
0.33
°C/W
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRFE6S9160H
Rev. 1, 12/2008
F
Witam może mnie ktoś oświeci ,parametry podają że tranzystor ma OUT 35W a końcówka 120W  |
| | |
| SQ3SWF | 23.05.2017 17:40:07 |
Grupa: Użytkownik
Lokalizacja: Poznań
Posty: 82 #2428361
Od: 2013-12-1
| Grzegorz, to nie jest moc maksymalna. DF9IC robi z tych tranzystorów (z 1szt) 150W na 23cm.
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI » DARMOWA REJESTRACJA
_________________
Olgierd | SP3YOR - Klub Krótkofalowców w Poznaniu http://sp3yor.net |
| | |
| sp6ix | 23.05.2017 18:27:18 |
Grupa: Użytkownik
Posty: 833 #2428376
Od: 2011-6-26
| OK przyjmuję to do wiadomości ale dalej nie znam tego konkretnego znaczenia i nigdzie go się nie doszukałem .Do teraz dla mnie OUT to moc wyjściowa i jest to zastanawiające ,może ja nie rozumiem tych nowych tranzystorów i oznaczeń parametrów a warto by się poduczyć,może ktoś wyłoży mi to łopatologicznie  ,znających temat proszę o pouczenie stary nie wszystko wie. |
| | |
| sp6ryd | 23.05.2017 19:04:37 |
Grupa: Użytkownik
Lokalizacja: Wrocław
Posty: 330 #2428385
Od: 2012-11-3
| myślę że odpowiedź jest tu:
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI » DARMOWA REJESTRACJA
MTTF (średni czas do uszkodzenia) dla 35W CDMA to 5991 lat a dla 180W CW tylko 378 lat.
|
| | |
| sp6ix | 23.05.2017 19:15:13 |
Grupa: Użytkownik
Posty: 833 #2428386
Od: 2011-6-26
| OK nie będę drążył dalej tematu poszukam gdzie indziej wytłumaczenia tego parametru niemniej dziękuję za chęci tym co odpowiedzieli reszta należy do mnie. |
| | |
| Electra | 23.11.2024 15:45:09 |
|
|
