Lokalizacja:
Bydgoszcz JO83XC
Posty: 7669 #743489
|
M/A-COM Technology zaprezentował na wystawie MTT-S 2011 nową rodzinę tranzystorów mikrofalowych dużej mocy produkowanych
na bazie arsenku galu. Zostały one zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w radarach impulsowych na pasma L i S. Wykazują większe napięcie przebicia, większą gęstość mocy i szerszy zakres częstotliwości pracy od tranzystorów krzemowych. Dostępne są w wersjach standardowych i na zamówienie.
Tabela. Tranzystory mikrofalowe dużej mocy
Typ Pasmo (MHz) Moc wyjściowa(W)Dł. impulsu/cykl pracy
MAGX-002731-030L00 2700–3100 30 (szczytowa) 500μs / 10%
MAGX-002731-100L00 2700–3100 100 (szczytowa) 500μs / 10%
MAGX-002731-180L00 2700–3100 180 (szczytowa) 500μs / 10%
MAGX-003135-030L00 3100–3500 30 (szczytowa) 500μs / 10%
MAGX-003135-180L00 3100–3500 180 (szczytowa) 500μs / 10%
MAGX-000912-125L00 960–1215 125 (szczytowa) 2ms / 10%
MAGX-000912-250L00 960–1215 250 (szczytowa) 2ms / 10%
MAGX-001214-125L00 1200–1400 125 (szczytowa) 2ms / 10%
MAGX-001214-250L00 1200–1400 250 (szczytowa) 2ms / 10%
MAGX-001220-100L00 1200–2000 100 (szczytowa) 500μs / 10%
MAGX-000035-030000 1–3500 30 (ciągła) CW
MAGX-000035-100000 1–3500 100 (ciągła) CW
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA
_________________
73! Maciej |