Uwaga: Na forum proszę rejestrować się pełnym znakiem, inne nicki będą blokowane.

NOWE POSTY | NOWE TEMATY | POPULARNE | STAT | RSS | KONTAKT | REJESTRACJA | Login: Hasło: rss dla

HOME » NOWOŚCI, CIEKAWOSTKI » HETEROZŁĄCZOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY DO NISKOSZUMOWYCH WZMACNIACZY W.CZ.

Przejdz do dołu stronyStrona: 1 / 1    strony: [1]

Heterozłączowy tranzystor bipolarny do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz.

  
SP2RXX
14.12.2011 16:21:20
poziom najwyższy i najjaśniejszy :-)



Grupa: Administrator 

Lokalizacja: Bydgoszcz JO83XC

Posty: 7099 #819406
Od: 2011-6-25
Renesas Electronics wprowadza na rynek nowy heterozłączowy tranzystor bipolarny o symbolu NESG7030M04, wykonany na podłożu SiGe:C. Jest to tranzystor zaprojektowany do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz. stosowanych m.in. na kartach WLAN i w odbiornikach satelitarnych.

Wykazuje rekordowo mały współczynnik szumów, wynoszący zaledwie 0,75dB @ 5,8 GHz. Dla porównania, we wcześniejszych tranzystorach SiGe HBT uzyskiwano współczynnik szumów większy o 0,35dB.
NESG7030M04 zapewnia wzmocnienie mocy równe 14dB przy VCE=2V i IC=7mA i dużą stabilność parametrów w szerokim zakresie częstotliwości od kilku MHz do 14 GHz.




TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI » DARMOWA REJESTRACJA


_________________
73! Maciej
  
Electra21.02.2019 13:41:57
poziom 5

oczka

Przejdz do góry stronyStrona: 1 / 1    strony: [1]

  << Pierwsza      < Poprzednia      Następna >     Ostatnia >>  

HOME » NOWOŚCI, CIEKAWOSTKI » HETEROZŁĄCZOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY DO NISKOSZUMOWYCH WZMACNIACZY W.CZ.

Aby pisac na forum musisz sie zalogować !!!

randki | własny sklep internetowy | promocje | CyberCiekawostki | darmowe forum | sklepy
opinie, testy, oceny | katalog stron | toplsta