Uwaga: Na forum proszę rejestrować się pełnym znakiem, inne nicki będą blokowane. Następnie należy się przedstawić pisząc kilka słów o sobie, swoich zainteresowaniach...

NOWE POSTY | NOWE TEMATY | POPULARNE | STAT | RSS | KONTAKT | REJESTRACJA | Login: Hasło: rss dla

HOME » CIEKAWE PODZESPOŁY » 150 WATT GAN HEMT FOR LTE APPLICATIONS (2,3GHZ)

Przejdz do dołu stronyStrona: 1 / 1    strony: [1]

150 Watt GaN HEMT for LTE Applications (2,3GHz)

CGHV27150MP
  
SP2RXX
24.03.2015 06:34:11
poziom najwyższy i najjaśniejszy :-)



Grupa: Administrator 

Lokalizacja: Bydgoszcz JO83XC

Posty: 7669 #2075773
Od: 2011-6-25
The CGHV27150MP is a gallium nitride (GaN) HEMT designed specifically for high efficiency, high gain applications from 2.3 to 2.7 GHz. It provides an output power of 150 Watts, gain of 16 dB, and has an efficiency of 34%. This GaN HEMT device is ideal for LTE, 4G Telecom and BWA amplifier applications.

Obrazek



TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI » DARMOWA REJESTRACJA




_________________
73! Maciej
  
Electra24.11.2024 17:52:29
poziom 5

oczka

Przejdz do góry stronyStrona: 1 / 1    strony: [1]

  << Pierwsza      < Poprzednia      Następna >     Ostatnia >>  

HOME » CIEKAWE PODZESPOŁY » 150 WATT GAN HEMT FOR LTE APPLICATIONS (2,3GHZ)

Aby pisac na forum musisz sie zalogować !!!

TestHub.pl - opinie, testy, oceny