Uwaga: Na forum proszę rejestrować się pełnym znakiem, inne nicki będą blokowane. Następnie należy się przedstawić pisząc kilka słów o sobie, swoich zainteresowaniach...
|
SP6GWB
|
01.12.2016 23:17:39
|
Posty: 802 #2365659
|
Mirek,
niektóre rozwiązania mają podłoże historyczne.
Pierwsze przedwzmacniacze na tranzystorach bipolarnych, w stanie wyłączonym miały bardzo wrażliwe złącze baza-emiter,
stąd w czasie nadawania nie wyłączało się zasilania. Aby tranzystor się nie wzbudzał, obciążano wejście opornością 50 OHm.
Podobnie wyglądała sytuacja przy użyciu tranzystorów FET.
Pierwsze MOS-FET były jeszcze bardziej wrażliwe niż tranzystory bipolarne, niektóre miały bramkę zabezpieczoną diodami, stąd obciążanie wejścia opornością aby tych diód nie spalić przy niskiej separacji toru rx i tx.
Dopiero współczesne MOSFET-y umiały znieść spory sygnał na wejściu.
Innym, często nie zauważanym zabójcą tranzystorów wejściowych są stany nieustalone przy załączaniu i wyłączaniu zasilania równocześnie z przełączaniem N-O. 'Niewinny' kondensator elektrolityczny w zasilaniu podtrzymuje napięcie zasilające przez relatywnie długi okres w stosunku do częstotliwości granicznej tranzystora, aby kilku-kilkunasto centymetrowy odcinek koncentryka do przekaźnika (już przełączonego na nadawanie) utworzył obwód o jakimś przypadkowym rezonansie na KF i wzbudził go, w konsekwencji uszkadzając go. Dlatego, mimo iż obciążanie 50 OHm jest mniej skuteczne jeśli idzie o separację układu N-O, to jest bezpieczniejsze w sytuacji opisanej wyżej.
73's de Staszek SP6GWB |
| Aby pisać na forum musisz się zalogować !!! |
|