amatorskie forum mikrofalowe

Szerokopasmowe tranzystory nowej serii RFG1M, produkowane
w procesie technologicznym GaN HEMT, opracowano do
zastosowań w komercyjnych i militarnych wzmacniaczach mocy
na pasmo od 700 do 2200 MHz. Nadają się one do systemów
z modulacją impulsową, ze stałą obwiednią, WCDMA i LTE.
Mogą pracować przy dużym stosunku mocy szczytowej do
średniej. Są zamykane w ceramicznych obudowach RF400-2
o doskonałej stabilności termicznej i dopuszczalnym zakresie
temperatur otoczenia od –25°C do +85°C.
Moc znamionowa przekracza 90W
dla RFG1M20090, 120W dla RFG1M09090, 180W dla RFG1M20180 i 240W dla RFG1M09180.



TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA