amatorskie forum mikrofalowe

Szerokopasmowe tranzystory nowej serii RFG1M, produkowane w procesie technologicznym GaN HEMT, opracowano do zastosowań w komercyjnych i militarnych wzmacniaczach mocy na pasmo od 700 do 2200 MHz.

Nadają się one do systemów z modulacją impulsową, ze stałą obwiednią, WCDMA i LTE. Mogą pracować przy dużym stosunku mocy szczytowej do średniej.

Są zamykane w ceramicznych obudowach RF400-2 o doskonałej stabilności termicznej i dopuszczalnym zakresie temperatur otoczenia od -25°C do +85°C. Moc znamionowa przekracza 90W dla RFG1M20090, 120W dla RFG1M09090, 180W dla RFG1M20180 i 240W dla RFG1M09180.



TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA





TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA

Z tego co przeczytałem z kart katalogowych to przynajmniej RFG1M09180 przeznaczony jest fo pracy w zakresie 700 do 1000MHz. Nie znalazłem informacji o tym jak będzie się zachowywał powyżej 1GHz.
Ale tranzystory rzeczywiście ciekawe.
Dzięki za wiele ciekawych informacji umieszczanych na tym serwicsie. Z przyjemnością od czasu do czsu je czytam
Grzegorz