Reklama
Heterozłączowy tranzystor bipolarny do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz.
T#125751
T#125751
#819406 14.12.2011 16:21:19
Renesas Electronics wprowadza na rynek nowy heterozłączowy tranzystor bipolarny o symbolu NESG7030M04, wykonany na podłożu SiGe:C. Jest to tranzystor zaprojektowany do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz. stosowanych m.in. na kartach WLAN i w odbiornikach satelitarnych.
Wykazuje rekordowo mały współczynnik szumów, wynoszący zaledwie 0,75dB @ 5,8 GHz. Dla porównania, we wcześniejszych tranzystorach SiGe HBT uzyskiwano współczynnik szumów większy o 0,35dB.
NESG7030M04 zapewnia wzmocnienie mocy równe 14dB przy VCE=2V i IC=7mA i dużą stabilność parametrów w szerokim zakresie częstotliwości od kilku MHz do 14 GHz.
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA
Wykazuje rekordowo mały współczynnik szumów, wynoszący zaledwie 0,75dB @ 5,8 GHz. Dla porównania, we wcześniejszych tranzystorach SiGe HBT uzyskiwano współczynnik szumów większy o 0,35dB.
NESG7030M04 zapewnia wzmocnienie mocy równe 14dB przy VCE=2V i IC=7mA i dużą stabilność parametrów w szerokim zakresie częstotliwości od kilku MHz do 14 GHz.
TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA
73! Maciej
Heterozłączowy tranzystor bipolarny do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz.
T#125751
T#125751
Aby pisać na forum musisz się zalogować !!!