GaN on SiC HEMT Power Transistor - amatorskie forum mikrofalowe

Reklama

SP2RXX

Administrator

Lokalizacja: Bydgoszcz JO83XC

#1890534 15.07.2014 16:45:41

MAGX-001090-600L00

TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA

he MAGX-001090-600L00 is a gold-metalized matched GaN on Silicon Carbide RF power transistor optimized for pulsed avionics and radar applications. The MAGX-001090-600L00 provides 600 W of output power with 21.4 dB of gain and 63% efficiency. The device also boasts very high breakdown voltages, which allows for reliable and stable operation at more extreme load mismatch conditions. The part is a clear leader with 5:1 Load Mismatch Tolerance and also offers the lowest pulse droop in its class.

Datasheet:

TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA

Application Notes:

TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA

TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA

TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA

TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA

73! Maciej

SP2IPT

Lokalizacja: JO94GI

#1890575 15.07.2014 17:40:13

Internally matched, pulsed operation - temu panu juz podziekujemy :/

Electrical engineers do it with less resistance