amatorskie forum mikrofalowe

Cree’s CGHV14500 is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGHV14500 ideal for 0.8 – 1.6-GHz L-Band radar-amplifier applications. The transistor could be utilized for band-specific applications ranging from UHF through 1800 MHz. The package options are ceramic/metal flange and pill package.



TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA





TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA





TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA

Dla aplikacji CW by moc na wyjsciu miala byc limitowana do 400W przy temperaturze do 50°C.



TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA





TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA