Uwaga: Na forum proszę rejestrować się pełnym znakiem, inne nicki będą blokowane. Następnie należy się przedstawić pisząc kilka słów o sobie, swoich zainteresowaniach...

NOWE POSTY | NOWE TEMATY | POPULARNE | STAT | RSS | KONTAKT | REJESTRACJA   Login: Hasło: RSS Facebook

HOME » CIEKAWE PODZESPOŁY » 150 WATT GAN HEMT FOR LTE APPLICATIONS (2,3GHZ)

Przejdź do dołu strony Strona: 1 / 1     strony: [1]

150 Watt GaN HEMT for LTE Applications (2,3GHz)


CGHV27150MP
Facebook
  
Reklama
   
SP2RXX 24.03.2015 06:34:10
poziom najwyższy i najjaśniejszy :-)



Grupa: Administrator 

Lokalizacja: Bydgoszcz JO83XC

Posty: 7669 #2075773
Od: 2011-6-25
The CGHV27150MP is a gallium nitride (GaN) HEMT designed specifically for high efficiency, high gain applications from 2.3 to 2.7 GHz. It provides an output power of 150 Watts, gain of 16 dB, and has an efficiency of 34%. This GaN HEMT device is ideal for LTE, 4G Telecom and BWA amplifier applications.



TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ ZDJĘCIA. DARMOWA REJESTRACJA





TYLKO ZAREJESTROWANI I ZALOGOWANI UŻYTKOWNICY WIDZĄ LINKI. DARMOWA REJESTRACJA




_________________
73! Maciej

Przejdź do góry strony Strona: 1 / 1     strony: [1]


HOME » CIEKAWE PODZESPOŁY » 150 WATT GAN HEMT FOR LTE APPLICATIONS (2,3GHZ)

Aby pisać na forum musisz się zalogować !!!

Załóż własne forum dyskusyjne na iq24.pl